پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

این فایل با تخفیف ویژه به مبلغ 35,000 تومان می‌باشد که بلافاصه بعد از پرداخت میتوانید آن را دانلود کنید. تعداد صفحات پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET 101 صفحه است. همچنین این فایل با فرمت ppt قابل اجرا می‌باشد. برای خرید و دانلود روی دکمه زیر کلیک کنید.

تخفیف ویژه به مدت محدود فقط تا فردا یکشنبه 2 آذر


46 هزار تومان 35 هزار تومان

خرید

پشتیبانی: 09374433704


دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

 
 
 
مقدمه:
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor  (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
 
در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
 
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
 
 
 
کلمات کلیدی:

ترانزیستور

ترانزیستور ماسفت

ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور اثر میدان

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

 
 
 
 
فهرست مطالب

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT 

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 
ترانزیستور NMOS
ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.
 
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
جریان در ناحیه تریود

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

 

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور NMOS
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
که مستقل از ولتاژ VDS است.
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
(Weak avalanche)
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC 
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
 

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

 
به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
نقطه بایاس DC
شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع 
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک
گین سیگنال کوچک
مقدار مقاومت ورودی
آنالیز DC
مدل T
تقویت کننده سورس مشترک
 

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
مقدار مقاومت خروجی:

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

 
کاربرد تقویت کننده گیت مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مدل سیگنال کوچک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
بدست آوردن نقطه کار

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

 

 


سوالات احتمالی شما درباره پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

چطور میتونم فایل پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET رو دریافت کنم؟

برای خرید و دانلود این فایل میتونید دکمه سبز رنگ خرید و دانلود فوری کلیک کنید و بلافاصله بعد از پرداخت، لینک دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET براتون نمایش داده میشه و میتونید فایل رو دانلود کنید.

این فایل چطوری به دست من میرسه؟

بعد از خرید به صورت اتوماتیک، لینک دانلود فایل پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET برای شما نمایش داده میشه و میتونید دانلود و استفاده کنید.

قیمت پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET چقدر هست؟

در حال حاضر قیمت این فایل با تخفیف ویژه 35 هزار تومان هست.

چطور میتونم با پشتیبانی سایت در ارتباط باشم؟

از طریق شماره 09374433704 میتونید با پشتیبانی سایت در ارتباط باشید.

برچسب ها:



ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ 

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ 

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد. پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده 

Aban 16, 1400 AP — دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET. مقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor 

در قالب ppt و در 20 اسلاید، قابل ویرایش. برچسب ها: انواع ترانزیستور fetترانزیستورهای اثر میدانیpdfترانزیستور jfetترانزیستور mosfetتست ترانزیستور fetترانزیستور 

میدانی نیمه‌رسانا اکسید فلز دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال + دانلود با لینک مستقیم…

کامل - پاورپوینت - ترانزیستور - جامع - MOSFET - فرمت فایل: PowerPoint تعداد اسلاید: 102 اسلاید مقدمه: l در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی 

ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین 

ppt ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد اسلاید : 101 اسلاید قسمتی از متن .ppt : ترانزیستور MOSFET فصل چهارم از: & کتابMICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e Sedra/Smith 

Farvardin 7, 1399 AP — برق، الکترونیک، مخابرات دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET مقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی ن.

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد. پاورپوینت ترانزیستور MOSFET دارای 111 اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint 

این مقاله با فرمت پاورپوینت بوده و قابلیت ویرایش کامل دارد. پس از انجام خرید، بلافاصله محصول قابل دانلود میباشد. توضیحات. گروه آموزشی فروشگاه اینترنتی ایران 

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) و تکنولوژی CMOS در 101. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: 

جزوه دینامیک پاورپوینت با موضوع ترانزیستور MOSFET جزوه ای کامل پاورپوینت با بدنی بیشتر پاورپوینت با موضوع ترانزیستور MOSFET بیماری ها ارائه مثال هایی از.

Farvardin 10, 1401 AP — این صفحه از سایت file.boldping.ir به معرفی موارد مشابه با پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET با کد 29511 اختصاص دارد. Tir 12, 1397 

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ 

دانلود رایگان پاورپوینت ترانزیستور و دیود بخشی از متن: اولین حق ثبت اختراع ترانزیستور پیشین نوشته قبلی: پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET. 177 .

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET ترانزیستور دانلود پاورپوینت ترانزیستور ماسفت دانلود پاورپوینت ترانزیستور MOSFET دانلود پاورپوینت ترانزیستور اثر 

برچسب ها: ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا اکسید فلز دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال 

ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین